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- [发明专利]阻变存储器测试方法以及测试装置-CN201811455054.1有效
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赵美然;吴华强;高滨;钱鹤
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清华大学
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2018-11-30
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2020-10-13
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G11C29/10
- 一种阻变存储器测试方法以及测试装置。该测试方法包括至少一个测试周期。在每个测试周期中对阻变存储器进行循环测试操作和采样操作；循环测试操作包括多个周期，每个周期包括复位操作和置位操作，复位操作被配置为对阻变存储器施加复位电压以使得阻变存储器处于高阻态，置位操作被配置为对阻变存储器施加置位电压以使得阻变存储器处于低阻态；采样操作被配置为读取阻变存储器的电阻值。该测试方法以及测试装置可以提高阻变存储器耐久性测试的测试速度，并且还可以精确控制耐久性测试过程中低阻态和高阻态的阻值区间，适用于包括模拟型阻变存储器在内的各种阻变存储器的耐久性测试。
- 存储器测试方法以及装置
- [发明专利]一种阻变存储器阵列的两步写操作方法-CN202011506701.4有效
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吴华强;李雨佳;唐建石;高滨;钱鹤
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清华大学
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2020-12-18
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2022-12-09
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G11C13/00
- 本发明提出了一种阻变存储器阵列的两步写操作方法，包括：令阻变存储器阵列中选通器和阻变存储器的初始状态均处于高阻态；对阻变存储器阵列施加第一写脉冲信号，使选通器处于低阻态、阻变存储器保持高阻态；对阻变存储器阵列施加第二写脉冲信号，使选通器和阻变存储器均处于低阻态；将第二写脉冲信号的幅值降为零，使选通器处于高阻态、阻变存储器处于低阻态，写操作完成；其中第二写脉冲信号幅值阻变存储器写操作电压第一写脉冲信号幅值选通器正向开启阈值电压，第一写脉冲信号脉冲长度选通器正向开启延迟，且第二写脉冲信号脉冲长度阻变存储器写入延迟。本发明可减小写操作过程对选通器性能的影响，降低写过程功耗和阻变器件串扰。
- 一种存储器阵列两步写操作方法
- [发明专利]电子装置及其操作方法-CN202010221399.1有效
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吴华强;林博瀚;高滨;庞亚川;唐建石;钱鹤
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清华大学
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2020-03-26
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2022-07-08
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G06F21/79
- 该电子装置包括：阻变存储器阵列、初始化电路和输出电路，初始化电路被配置为对第一被选中的阻变存储器单元和第二被选中的阻变存储器单元分别进行不同的初始化过程，以使得第一被选中的阻变存储器单元和第二被选中的阻变存储器单元对应不同的阻变窗口；输出电路被配置为读取多个阻变存储器单元中的至少部分阻变存储器单元的电流值，处理所读取的至少部分阻变存储器单元的电流值以得到并输出处理结果。该电子装置可以使得阻变存储器阵列中的各阻变存储器单元能够同时存储物理不可克隆函数(Physical Unclonable Function,PUF)密钥值和其它数据，从而提高了资源的利用率，避免了阻变存储器阵列中存储的
- 电子装置及其操作方法
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